チタン酸鉛を用いた薄膜圧電共振器の高Q化の検討
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概要
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薄膜圧電共振器は,GHz帯で動作し,素子が小形にできるので,広く研究されている.本文では,シリコン基板上にチタン酸鉛薄膜を形成した薄膜圧電共振器の試作結果について報告する.チタン酸鉛薄膜は,RFマグネトロンスパッタ法を用いて,約1μmの厚みに形成した.さらに,チタン酸鉛とシリコン基板との間にSiO_2層を設け,高次モードで共振する構造とした.試作共振器は,1.4GHz付近に共振を示し,実効的な電気機械結合係数k^2が1.3%,〓値が300以上の特性を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-10
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