MgO基板上Tl系超電導薄膜の作製

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概要

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Tl系超電導薄膜の密閉容器中でのアニールにおける, 薄膜の温度とTl蒸気圧の独立制御について検討した. アルミナ容器の両端に薄膜および補償用ペレット(Tl_2O_3)を配置しそれぞれの温度を独立に制御した. 薄膜および補償用ペレットの温度と得られた薄膜の構造を調べた結果, 薄膜の温度と膜中のTl濃度に対し超電導相, 不純物相が安定となる領域の位置関係が明らかとなった. また, これらを用いて, 薄膜およびペレットの降温条件による薄膜の結晶構造の違いを降温時の各段階で安定となる超電導相, 不純物相と対応付けて説明できることが分かった. また, 降温条件を最適化した結果, 薄膜の均一性が向上した.
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-07-30

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