Ba_<1-x>K_xBiO_3/SrTiO_3:Nbヘテロ接合の作製と評価
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概要
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低エネルギー型超電導べース三端子素子の開発において、ベース/コレクタ接合となる酸化物ヘテロ接合界面の制御は重要な課題のひとつである。本報告では、Ba_<1-x>K_xBiO_3/Nb-doped SrTiO_3ヘテロ接合を作製し、その電気特性の評価を行った。アニール処理したSTO:Nb基板を使用して接合を作製した場合、順バイアスにおけるlog I-V特性は直線性が高く(n〜1.5)、逆バイアスリーク電流も非常に小さい良好な整流特性を示した。さらに、空乏層内における誘電率の電界依存性を考慮したモデルによってC-V特性の解析を行い、BKBO/STO:Nb接合のバリア構造を決定した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-24
著者
-
山本 哲也
三洋電機(株)エコ・エネシステム技術開発センターBU
-
鈴木 誠二
三洋電機
-
山本 哲也
三洋電機
-
高橋 和彦
三洋電機
-
鈴木 誠二
三洋電機(株) 筑波研究所
-
鈴木 博
三洋電機(株) 筑波研究所
-
川口 健一
三洋電機(株) 筑波研究所
-
高橋 和彦
三洋電機(株) 筑波研究所
-
善里 順信
三洋電機(株) 筑波研究所
-
川口 健一
三洋電機
-
高橋 和彦
(株)日立製作所
-
山本 哲也
三洋電機(株)
-
善里 順信
三洋電機(株)
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