Tl系超電導薄膜の作製と評価

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概要

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Auガスケットを用いたアルミナ密閉容器により、c軸配Tl_2Ba_2CaCu_2O_δ薄膜を再現性良く作製することができた。アニール条件が薄膜の構造および電気特性に与える影響を調べた結果、補償用ペレットのTl組成、アニール温度により配向性が変化することが明らかになった。配向性は膜厚によっても変化し、薄いとc軸配向し易く、厚いと無配向になり易いことが分かった。電気特性はこの配向性に大きく依存し、c軸配向膜の臨界温度が90K以上であったのに対し、無配向膜では80K以下であった。臨界温度は最高108Kであった。また、臨界電流密度はアニールにおける降温条件に大きく依存し、その最適化によりMgO基板上のc軸配向Tl_2Ba_2CaCu_2O_δ薄膜において臨界電流密度4.5×10^5A/cm^2が得られた。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-07-26

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