ゾル・ゲル法によって作製されるBi_2O_3-Fe_2O_3-PbTiO_3系アモルファス酸化物薄膜の強磁性と強誘電性
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概要
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我々は以前、高周波反応性スパッタ法で成膜されるBi_2O_3-Fe_2O_3-ABO_3 (ABO_3: BaTiO_3, PbTiO_3, PbZrO_3)三元系酸化物薄膜が、Fe_2O_3-rich な狭い組成領域および700℃近傍の熱処理温度でアモルファス状態を実現し、そこで明瞭な磁気ヒステリシスおよび誘電ヒステリシスを示すことを報告した。今回、ABO_3にPbTiO_3を選んだ系に対してゾル・ゲル法を用いて薄膜を作製し、磁気、誘電特性を調べた結果、ゲル・コーティング膜においてもスパッタ膜と類似の特性を実現した。またこのような顕著な物性をもつ薄膜試料の微細構造をEXAFSで調べ、これらの試料が結晶学的構造の乱れたアモルフアス構造をもつことが分かった。したがってこれらの物性の発現はスピングラス状態における強いフラストレーションに起因していると推察される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-01
著者
-
田路 和幸
東北大学大学院環境科学研究科
-
井上 光輝
豊橋技術科学大学
-
藤井 壽崇
豊橋技術科学大学
-
徳永 雄一
豊橋技術科学大学
-
ジェヤデバン B.
東北大学
-
加島 篤
北九州工業高等専門学校
-
加島 篤
北九州高専
-
田路 和幸
東北大学
-
B ジェヤデバン
東北大学
-
和田 貴也
豊橋技術科学大学
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