FETを用いた周波数3逓倍器の電圧置換法による解析(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
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概要
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近年、GaAsFETは高周波用の能動素子として広く使われ、単なる増幅器にとどまらず、周波数逓倍器としても利用されている。本対象のGaAsFETは、効率は高いが入力信号を歪ませてしまうという特徴がある。つまり、増幅の過程で余分な電力消費を起こし、効率を悪くする。そこで、本研究室独自の電圧置換法を用い不要な調波のアイドラ成分を適切に処理し、高効率の周波数逓倍器を実現する。電圧置換法とは、時間領域の解析でありながら周波数領域の解析をも盛り込んだものである。本研究では、GaAsFETを周波数3逓倍器として動作させる。そして電圧置換法を用いて、基本波・2倍波に対して開放・短絡終端処理を施し、電圧置換法の有効性を実証する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-27
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