ゲート電圧制御によるDROの発振周波数の温度補償
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概要
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誘電体共振器装荷発振器(DRO)は一般に,発振周波数の温度依存性が小さい特徴を有するが,より高い温度安定性を得るためには,温度補償回路が必要となる.ここでは,DROの発振素子であるFETのゲート電圧を制御して,温度による変化が単峰特性となる発振周波数を温度補償する方式を提案し,発振周波数を安定化したDROの設計・試作結果について述べる.通常,DROの発振周波数はDRの温度特性のために,温度に対して単峰特性となる.ゲート電圧制御に,抵抗とサーミスタを組み合わせた構成を用いることで,この単峰特性に対して温度補償を可能にしている.Ku帯でDROを試作し,温度範囲-45℃〜+85℃において,発振周波数の温度による変化が55ppm以内(0.5ppm/℃以内)に抑制されることを示し,本方式の有効性を確認する.さらに,単電源化の検討を行い,自己バイアス抵抗とゲート電圧制御による温度補償が可能な発振周波数の範囲との関係を示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-13
著者
-
田島 賢一
三菱電機
-
川上 憲司
三菱電機(株)情報技術総合研究前
-
田島 賢一
三菱電機株式会社
-
水口 毅
三菱電機(株)通信機製作所
-
宮崎 守泰
三菱電機(株)
-
田島 賢一
三菱電機(株)情報総研
-
津留 正臣
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
川上 憲司
三菱電機(株)
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