ESDガンの放電で生ずる近傍磁界の特性測定
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概要
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国際電気標準会議(IEC)ではIEC 61000-4-2において帯電人体のESDを模擬した静電気試験法が示され,静電気試験器(ESDガン)の放電電流波形が具体的に規定されている.しかしながら,ESDガンの放電過程には不明の部分が多く,IEC規定の放電電流波形が実際の機器へ注入される保証はない.このような背景から筆者らは先に,ESDガンの構造寸法に立脚した放電過程を表す等価回路モデルを提案し,放電電流の決定要因を明らかにした.本文では,まずESDガンのSMAコネクタに対する接触放電で生ずる放電電流と近傍磁界とを測定し,両波形が筆者らの提案になる等価回路モデルによる計算波形と大略一致することを確認した.つぎに,ESDガンの金属面に対する接触と気中の両放電に対する近傍磁界を充電電圧との関係においてそれぞれ測定し,磁界ピークレベルの充電電圧依存性を調べた.その結果,磁界ピークレベルは,接触放電では充電電圧にほぼ比例して増大するが,ギャップ長を固定した気中放電に対しては充電電圧のほぼ自乗に比例して増加することがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-06
著者
-
藤原 修
名古屋工業大学大学院
-
森 育子
鈴鹿工業高等専門学校電子情報工学科
-
森 育子
名古屋工業大学
-
田中 秀幸
名古屋工業大学工学部
-
石上 忍
通信総合研究所
-
山中 幸雄
通信総合研究所
-
田中 秀幸
東京大学大学院情報学環
-
田中 秀幸
名古屋工業大学工学部電気情報工学科
-
藤原 修
名古屋工業大学
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