マイクロストリップ線路を用いた誘電体基板のPIM特性評価(光・電波ワークショップ)
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概要
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誘電体基板の受動相互変調歪(PIM)特性を,50Ωマイクロストリップ線路を用いて実験的に評価し,PIMの発生要因を物理的条件および化学的条件の双方から考察した.銅箔粗化面粗さは,銅箔組成や厚さ等,他の条件が同一である場合にはPIMレベルの直接的な決定要因となるが,線路幅や銅箔厚など電流密度に影響を与えるパラメータによっても観測されるPIMレベルが大きく異なることを示した.また銅箔粗化面の化学的組成についてもオージェ分光法を用いて分析した結果,CrやCoなど異種金属が銅箔組成成分として含まれている材料では,PIM発生量の増加や不安定化等の現象が見られることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-16
著者
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