走査型アトムプローブの開発と電子源材料の解析
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概要
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アトムプローブ(AP)は個々の表面原子を直接観察し,且つ1つ1つの原子を同定することができるが,鋭い先端を持つ針状の試料を必要とするため,応用範囲が限られている.この制約を除去するため,微細な漏斗型の引出電極を装着した走査型AP(SAP)が開発され,平面状試料の分析が可能となった.また,SAPの試料に印加する負電圧と試料からの電界放射電流から得られるI-V特性から分析領域の電子状態が調べられる.こうしたSAPの特性を活かして電子源材料の組成分析と電界放射特性,更に構成原子間の結合状態との関連が調べられた.また,組成分布を原子レベルの分解能で三次元的に表示する3D-SAPの開発も行っている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-06
著者
-
渡邉 将史
金沢工業大学工学部
-
西川 治
金沢工業大学 工学部 物質応用工学科
-
柳生 貴也
金沢工業大学 工学部 物質応用工学科
-
村上 智
金沢工業大学 工学部 物質応用工学科
-
谷口 昌宏
金沢工業大学
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村上 智
金沢工業大学工学部
-
柳生 貴也
金沢工業大学工学部
-
西川 治
金沢工業大学工学部
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