低温MBE成長TlGaAsにおけるエピタキシャル限界膜厚の組成依存性
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概要
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(001)GaAs基板上にTlGaAsを低温MBE成長させた.成長した試料をエッチング液につけてTlGaAs成長層を徐々に除去し,その都度X線回折測定して成長層による回折強度の変化を調べた.この変化のしかたより,TlGaAs成長層のうち,表面側は多結晶もしくはアモルファス,基板側は単結晶であることがわかった.また,X線回折ロッキングカーブのシミュレーションソフトを用い,測定結果をフィッテングして単結晶成長膜厚(エピタキシャル限界膜厚)を推定した.その結果,Tl_xGa_1-xAsのエピタキシャル限界膜厚はTl組成xとともに急激に減少し,x=1.8%では0.2μmあったのが,x=7%では25nmになることがわかった.このロッキングカーブシミュレーションから推定したエピタキシャル膜厚は,断面TEM像で観察した単結晶成長膜厚と一致することが確認された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-04
著者
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北野 保行
島根大学総合理工学部物質科学科
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大谷 義和
島根大学総合理工学部物質科学科
-
梶川 靖友
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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梶川 靖友
島根大学総合理工学部
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北野 保行
広島大理
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北野 保行
広大理
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北野 保行
独立行政法人産業技術総合研究所関西センター
-
北野 保行
広島大学理学部
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北野 保行
産業総合研究所関西センター
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北野 保行
阪大基礎工
-
北野 保行
ETHチューリッヒ固体物理
-
小林 信裕
島根大学総合理工学部
-
西本 尚己
島根大学総合理工学部
-
大谷 義和
島根大学総合理工学部
-
北野 保行
島根大学総合理工学部
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