Pilot発光・Pilot-OBIRCH解析手法とその現状(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
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概要
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光の回折限界を超える分解能でLSIチップ上の欠陥位置を特定できるPilot発光,およびPilot-OBIRCH解析手法の詳細と,その現状を述べる. Pilot発光は位置分解能:0.13μm条件で発光観測位置のDが約65nm,高い観測精度を有することが実験から明らかにされ. ASIC搭載SRAMなどメモリヘの適用実績が出ている.一方Pilot-OBIRCHは,現在基礎実験を始めた段階にある.両者ともCMOS-LSI全般の不良解析への適用・実用化を目指している.
- 2004-01-29
著者
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石井 達也
セイコーエプソン
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石井 達也
セイコーエプソン株式会社半導体事業部
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寺田 浩敏
浜松ホトニクス株式会社
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石井 達也
セイコーエプソン株式会社 Tft事業部tft・cs品質保証部
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石井 達也
セイコーエプソン株式会社半導体事業部ic・cs品質保証部
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寺田 浩敏
浜松ホトニクス(株)
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