定量位相差顕微鏡を用いた発熱計測技術の開発(機構デバイスの信頼性、信頼性一般)

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概要

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発熱検出はLSIの不良箇所を直接検出できる手段であるが、輻射波長により解像度を制限される問題がある。本報告では発熱を輻射ではなくSiの屈折率変化と熱膨張から検出する手法を報告する。本手法は、輻射より1.3μm程度とも短い波長の照明光を使用するため、従来の輻射を計測する手法よりもパタン解像力が高い特徴がある。また、基板の不純物濃度がやや高く、従来の手法では赤外線が透過せず観察できないサンプルにも適用できる。本手法にて、発熱観察カメラでは発熱観察できないサンプルに対し、実際に発熱点検出ができることを確認した。
2011-02-11

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