擬似発光/SSRMを用いた微細SRAMセルの欠陥位置特定
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概要
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微細SRAMセル内の欠陥位置特定技術として,微少リークと高抵抗のそれぞれの位置特定に対応した2つの手法を考案し知見を得た.(1)チップ上の正常な能動素子を擬似的に発光させ,同発光点を位置認識の基準とすることで,光学顕微鏡の空間分解能を越える約0.2μmの分解能で発光位置を認識でき,サブμmオーダでの微少リーク位置特定が可能になること,(2)従来の電子線照射チャージアップ手法等では検出不可能な開放回路での高抵抗位置特定に対してSSRMが有効であり,数kΩオーダの抵抗差を検出できることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-23
著者
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石井 達也
セイコーエプソン
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石井 達也
セイコーエプソン株式会社半導体事業部
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池田 洋直
セイコーエプソン株式会社半導体事業部IC・CS品質保証部分析・新技術担当
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石井 達也
セイコーエプソン株式会社 Tft事業部tft・cs品質保証部
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石井 達也
セイコーエプソン株式会社半導体事業部ic・cs品質保証部
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池田 洋直
セイコーエプソン株式会社
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石井 達也
セイコーエプソン株式会社
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