プロセス向けEBプローバの提案と基礎実験
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
LSIの生産拠点で迅速な不良解析を実現するプロセス不良解析専用のEBプローバを提案する.本提案を実現するため, 絶縁膜上から所定時刻(位相)での電位情報をシングルショットで取得する新しい論理観測手法を考案し, その実用性検証のための基礎実験と, 実不良チップヘの適用を行い有効性を確認した.本手法は従来不可能であった絶縁膜上からの単発現象の論理観測を可能にした.そして, 一次ビームのパルス化を必要としないため, 低コストなプロセス向けEBテストシステムの構築を可能にする.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-14
著者
-
佐藤 猛
日本電子テクニクス
-
石井 達也
セイコーエプソン
-
石井 達也
セイコーエプソン株式会社半導体事業部
-
石井 達也
セイコーエプソン株式会社 Tft事業部tft・cs品質保証部
-
石井 達也
セイコーエプソン株式会社半導体事業部ic・cs品質保証部
-
佐藤 猛
日本電子テクニクス株式会社技術部
関連論文
- ハイスループットで細胞を観察する走査電子顕微鏡
- 3-1 Pilot発光・Pilot-OBIRCHのTFT基板不良解析への応用検討(セッション3 LSIの故障解析-2)(日本信頼性学会第17回秋季信頼性シンポジウム報告)
- 2-4 FIB-VC観察によるMOSトランジスタのリークパス特定(日本信頼性学会第12回研究発表会発表報文集)
- Pilot発光・Pilot-OBIRCH解析手法とその現状(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
- 1.4Pilot発光によるASIC搭載SRAMマクロセルの解析事例(セッション1「ソフトウェア,故障解析1」)(日本信頼性学会第11回研究発表会報告)
- 擬似発光/SSRMを用いた微細SRAMセルの欠陥位置特定
- 擬似発光/SSRMを用いた微細SRAMセルの欠陥位置特定
- プロセス向けEBプローバの提案と基礎実験
- プロセス向けEBプローバの提案と基礎実験
- 3-1 Pilot発光・Pilot-OBIRCHのTFT基板不良解析への応用検討(セッション3 LSIの故障解析(2),第17回秋季信頼性シンポジウム)
- Pilot発光・Pilot-OBIRCH解析手法とその現状(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
- 1.4 Pilot発光によるASIC搭載SRAMマクロセルの解析事例(セッション1「ソフトウェア・故障解析1」)