3-1 Pilot発光・Pilot-OBIRCHのTFT基板不良解析への応用検討(セッション3 LSIの故障解析(2),第17回秋季信頼性シンポジウム)
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概要
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LSI向けに考案したPilot発光・Pilot-OBIRCH解析手法は,数10nmオーダの微細な欠陥位置認識とともに,チップマクロからの位置認識,例えばメモリアレイ内における不良セルの物理アドレス位置認識にも利用できる.液晶パネルに用いられるTFT基板では,同一レイアウトパタンの画素が画面全域にアレイ配置されているため,異常信号発生画素の物理位置認識が困難である.そこで同手法の後者の機能をTFT基板の不良解析に応用する実験を試みた.Pilot発光では非選択の画素トランジスタを発光させる条件が観測時間の短縮に有効であること,Pilot-OBIRCHでは画素アレイ上でX・Y軸カーソル線の働きをする配線電流像を取得できることがわかった.
- 日本信頼性学会の論文
- 2004-11-19
著者
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石井 達也
セイコーエプソン
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石井 達也
セイコーエプソン株式会社半導体事業部
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石井 達也
セイコーエプソン株式会社 Tft事業部tft・cs品質保証部
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石井 達也
セイコーエプソン株式会社半導体事業部ic・cs品質保証部
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