カドミウムをプローブとして用いる吸着ボルタンメトリーによる硫酸亜鉛めっき浴中デキストリンの定量
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概要
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硫酸溶液において, 水銀滴電極を一定電位に保持した後, 微分パルスボルタンメトリー(吸着ボルタンメトリー)を実施し, Cdピークに及ぼすデキストリンの影響を調べた.デキストリンは電極に吸着しCdピーク高さを減少させた.この影響は, 保持電位+0.1〜-0.3Vでは負電位の方が, 又硫酸濃度0.01〜1Mでは高濃度の方が強く現れた.更に, この影響は塩酸, リン酸, 硝酸, 過塩素酸, 硫酸の順に顕著になり, 硫酸塩では硫酸と同程度に現れた.Cdをプローブとして加え吸着ボルタンメトリーを実施し, Cdピーク高さの減少から間接的にデキストリンを求める方法を, 硫酸亜鉛めっき浴に適用した.測定溶液中(0.5M H_2SO_4)で2mg dm^<-3>となるように希釈した場合の分析精度は, 相対標準偏差4.4%であった.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1994-06-05
著者
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