化合物半導体及び高純度金属中の微量ケイ素の間接定量
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ヒ化ガリウム, リン化インジウム, テルル化カドミウム, インジウム, テルル及びリン中の微量ケイ素の新しい定量法を検討した.試料を塩酸, 硝酸及びフッ化水素酸で分解後, 硫酸濃度を10M以上となるように硫酸を加える.精製した空気を吹き込んでケイ素を四フッ化ケイ素として揮発させ, マトリックスから分離し水に吸収させる.この吸収液にモリプデン酸アンモニウム-硫酸アンモニウム-ホウ混酸合溶液を加えてモリプドケイ酸を生成させ, 既報に従いSephadexゲルカラムを用いてモリブドケイ酸と過剰のモリブデン酸などから分離する.吸着しているモリブドケイ酸は, アンモニア水を用いて溶離し.溶離液中の^<98>MoをICP-MSで測定し間接的にケイ素を定量する.この方法は, 硫酸, モリブデン酸アンモニウムなどの精製を十分に行えば, から試験値を約10ngにすることができる.定量下限は, 試料1gを用いて8ppbである.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1990-05-05
著者
関連論文
- 抽出分離 : タングステン炉原子吸光法による塩化チタン溶融塩中の微量銅の定量(:分離(その1))(予備濃縮分離)
- イットリウム中の極微量ウラン及びトリウムのイオン交換分離 : 誘導結合プラズマ質量分析法による定量(:分離(その1))(予備濃縮分離)
- 工業材料I - 半導体材料・セラミックス -
- アルミニウム及びアルミニウム合金中の極微量ウラン及びトリウムの加熱気化 : 誘導結合プラズマ質量分析法による定量
- 化合物半導体及び高純度金属中の微量ケイ素の間接定量
- ゲルクロマトグラフィー : 誘導結合プラズマ質量分析法による微量ケイ素の間接定量
- タングステン炉原子吸光法によるガリウム中の微量不純物の定量(無機材料分析のためのスペクトロメトリー)
- タングステン炉原子吸光法によるガリウムヒ素結晶中の微量不純物の定量