全反射X線光電子分光法によるシリコンウェハー上微量元素分析
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概要
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X線光電子分光法(XPS)は材料表面の化学結合状態分析に対し有効な方法である. しかし, XPSの検出限界は二次イオン質量分析法(SIMS)や全反射蛍光X線分析法(TXRF)などに比べ著しく悪い. 全反射XPS(TRXPS)は検出感度向上に対し有効な方法と考えられている. 本研究ではTRXPSの検出限界をSiウェハー上の汚染物測定から検討した. Siウェハー上にFeとCuをそれぞれ定量汚染させた. 試料を用い, X線(AlKα)を試料面に対し1.1°と全反射条件にてXPS測定を行った結果, TRXPSにおける検出限界はFe, Cuともに〜9E+10atoms/cm^2で従来のXPS測定法に比べ約40倍向上した. 以上の結果よりTRXPSはSiウエハー上の極微量汚染物分析に有効であることが示された.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1998-11-05
著者
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