赤外線イメージ炉を用いたシリコン単結晶育成と成長縞に及ぼす雰囲気酸素分圧効果(半導体結晶成長III)
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概要
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Silicon single crystals were grown by the floating-zone method using an infrared image furnace in the wide range of oxygen partial pressure defined at the inlet of the furnace from 1×10^<-2>Pa to 8.2×10^2Pa, so that the Marangoni number was changed from 2070 to 730. Degree of surface oxidation of the grown crystal was dependent on oxygen partial pressure of an ambient atmosphere. Striation pattern in almost all crystal shows a single frequency. At Po_2^<inlet> = 8.2×10^2Pa, which is over the equilibrium oxygen partial pressure for a SiO_2 phase, crystal was polycrytallized and showed no growth striation.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
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