ルツボ下部冷却を用いた抵抗加熱CZ法による大型SBN結晶成長 : バルク成長V
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概要
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We have developed a method for growing large size SBN ( Sr_<0.61>Ba_<0.39>Nb_2O_6 ) single crystals by the resistance-heating Czochralski technique. Crucible-base cooling was necessary to remove the released latent heat effectively. We grew SBN single crystals of 35-50 mm in diameter and 38-65 mm in length.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
今井 欽之
Nttフォトニクス研究所
-
笹浦 正弘
NTTフォトニクス研究所
-
小野 道雄
NTTフォトニクス研究所
-
八木生 剛
Nttサイバースペース研究所
-
山崎 裕基
Nttエレクトロニクス(株)
-
館 彰之
日本電信電話株式会社NTTマイクロシステムインテクやレーション研究所
-
久保田 英志
NTTフォトニクス研究所
-
八木生 剛
NTTフォトニクス研究所
-
館 彰之
NTTフォトニクス研究所
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