344 InP 単結晶インゴットアニール過程の転位密度の評価解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2002-10-30
著者
関連論文
- 742 異方性導電樹脂を用いたフリップチップ接合部のバンプ間圧力解析
- 746 ベアチップ実装における半導体チップの残留応力評価
- 736 GaAs 単結晶インゴットアニール過程における転位密度の評価解析
- 局所的な内部熱加熱を受ける原子炉冷却管のクリープ損傷解析(FEM解析,計算力学関連の理論・応用技術 OS.2)
- 612 シビアアクシデント状況下の原子炉冷却系配管の局所クリープ損傷解析 : 円管の変形と損傷分布
- 813 温度分布を持つ加熱円管の局所クリープ損傷解析
- 521 局所的加熱を受ける円管のクリープ損傷解析
- 第 1 部 (23) 分子動力学法によるき裂先端近傍の塑性変形解析
- 233 分子動力学法によるき裂先端近傍の塑性変形過程の解析
- 406 分子動力学法によるき裂と粒界を含む系の塑性変形過程の解析(OS05-2 材料強度)(OS05 電子・原子シミュレーションに基づく材料特性評価)
- 614 き裂と粒界を含む系の力学的特性評価
- 432 異方性導電樹脂接合部のはく離強度(OS01-2 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(2))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 628 異方性導電樹脂接合部のはく離強度に与える材料物性の影響
- バルク単結晶育成過程の転位密度シミュレーション : バルク成長シンポジウム
- 525 ゴム粒子分散エポキシ樹脂のクリープ現象に関する FEM 解析と実験
- 422 エレメントフリーガラーキン法による 3 次元構造解析
- 124 ABS 樹脂の破壊靱性評価 : ゴム含有率の影響
- 423 EFGM へのアダプティブ法の適用に関する検討
- 364 弾塑性EFG解析および破壊力学パラメータ解析システムの開発(OS24-3 EFGM)(OS24 メッシュレス/粒子法)
- 151 Gursonモデルを用いた接着剤層内のき裂の損傷解析(OS04-1 界面と接着・接合の力学(1))(OS04 界面と接着・接合の力学)
- 140 ゴム含有率の異なるABS樹脂の衝撃破壊靱性とき裂先端損傷域(OS5-1 動的き裂問題)(OS5 材料の衝撃強度・損傷に関する最近の知見)
- 119 ABS 樹脂の破壊靱性値に対するゴム含有率と負荷速度の影響
- 熱応力下の異方性異種材界面き裂の破壊靱性測定(き裂・複合材料の計算力学,計算力学関連の理論・応用技術 OS.2)
- 831 陽極接合部の破壊強度評価
- 813 異方性導電樹脂接合部の吸湿リフロー試験時のはく離評価
- 822 異方性導電樹脂接合部の信頼性評価手法
- 634 半導体バルク単結晶 CZ 育成過程における転位密度の三次元解析
- 363 ゴム変性エポキシ樹脂中のき裂先端応力場(接着剤層厚みが破壊靱性値におよぼす影響の検討)
- 424 動弾性 EFG 解析および動的破壊力学パラメータ解析プロトタイプシステムの開発
- 830 熱応力下の異方性異種材界面き裂の応力拡大係数解析
- 624 異方性異種材界面き裂の応力拡大係数解析
- 626 Gurson モデルを用いた, 接着継手中のき裂の三次元損傷解析
- 121 接着継ぎ手の破壊靱性値に対する接着剤層厚さ効果のメカニズム
- 119 エレメントフリーガラーキン法によるアダプティブ法に関する検討
- 1016 EFGM による混合モード問題における応力拡大係数計算方法の検討
- 1015 EFG 解析への節点再配置手法の適用
- 112 エレメントフリーガラーキン法の動的破壊力学パラメータの計算
- 345 半導体単結晶育成過程の転位密度評価の三次元解析
- InP単結晶インゴットアニール過程の転位密度の3次元解析
- 344 InP 単結晶インゴットアニール過程の転位密度の評価解析
- 半導体バルク単結晶のアニール過程の転位密度の三次元解析
- 426 GaAs単結晶インゴットアニール過程の転位密度の3次元解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 735 LT バルク単結晶の熱応力負荷による割れ : 寸法効果
- 346 LT バルク単結晶の熱応力負荷による割れ
- K-0334 イメージベース有限要素法によるAl_2O_3/YAG共晶材料のクリープ特性の推算(G01-4 変形解析)(G01 計算力学部門一般講演)
- 458 画像処理と有限要素法による共晶材料 (Al_2O_3/YAG) の材料物性の推算(複合則の検討)