426 GaAs単結晶インゴットアニール過程の転位密度の3次元解析(OS01-1 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(1))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
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概要
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- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2001-11-27
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