バルク単結晶育成過程の転位密度シミュレーション : バルク成長シンポジウム
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概要
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Simulations of the dislocation density during single crystal growth were performed for a Si crystal and an InP crystal using a finite element computer code, in which a dislocation kinetics model called the Haasen-Sumino model was used as the constitutive equation of a crystal at elevated temperatures. The effects of elastic modulus and dopant atoms on the dislocation density were examined in the present study.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
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