バイアス法によるパラジウム基板上へのダイヤモンド核形成
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概要
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A three-step process consisting of formation of a carbon supersaturated layer, density improvement of diamond nucleation and film growth was used to synthesize diamond films on polycrystalline Pd substrates. The results were compared with those of a two-step process in which diamond was deposited by particle growth, and the nucleation density was 10^7cm^<-2>. A uniform diamond film could be obtained on the entire substrate surface by a three-step process the nucleation density was 10^9cm^<-2>. The results indicate that formation of a carbon supersaturated layer using highly concentrated methane(40%) play an important role in improving the density of diamond nucleation.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2001-04-01
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