G. Goldfinger 編: Clean Surfaces; Their Preparation and Characterization for Interfacial Studies, Marcell Dekker, 1970, 385 ページ, 23.5×16cm, $18.75

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1973-01-05

著者

• 中田 一郎

  東大物性研

関連論文

• 6a-AE-4 (SN)_x薄膜のSOR分光スペクトル
• 3a-G-4 (SN)_xのNMR
• 5a-A-11 Nb_3Te_4の低温領域の電顕観察
• 5a-A-10 擬一次元合成金属Nb_3Te_4の低温における電気的性質の異常
• 14a-S-11 Nb_3Te_4の電気伝導
• 31p-E-14 Nb_3Se_4の電気伝導と超伝導
• 3a-NE-1 Nb_3S_4の電気的性質
• 4a-B-3 GeSeの負磁気抵抗効果
• 30a-E-1 GeSe単結晶の電気的特性
• 8p-C-14 cholesteric-Nematic系 液晶の光学的性質(II)
• 研究速報 : アモルファス磁場中結晶化法による Nd-Fe-B 系永久磁石材料の研究
• 30p-RC-10 陽電子消滅二次元角度相関法による (SN)_xの研究
• 3a-F-1 フラックス法育成におけるオルソフェライト単結晶の表面構造と結晶成長機構
• 12a-R-8 フラックス法によって育成した(Sm,Tb)FeO_3 単結晶表面に見られる成長模様
• 3p-F-15 フラックス法によるRFeO_3単結晶の育成
• ベンゾキノン, ハイドロキノンの光電導 : 分子結晶・有機半導体
• 5p-P-1 FeCr_2S_4, CoCr_2S_4の磁気抵抗の異方性
• 4a-H-11 CoCr_2S_4,FeCr_2S_4の磁気抵抗効果
• 8p-F-7 ACr_2X_4(A=Zn,X=Se)(A=Fe,Co,X=S)の作成とその2,3の性質
• 12a-PS-11 In-doped CdSのアモルファス磁性
• 31p-E-15 擬1次元系Nb_3Se_4のマイスナー効果
• (SN)x (低次元物質特集号) -- (低次元導体)
• 3p-Q-14 イオン打ち込みSiのピコ秒レーザー照射による表面の構造変化
• 31p-K-13 (SN)_xの陽電子消滅
• 31p-CK-8 (SN)_x の結晶成長
• 10a-S-1 (SN)_x単結晶育成と問題点
• 29a-E-14 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 IV
• 2a-R-12 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定 II
• 30p-B-6 |X_3|によるNb_3Se_4の超伝導転移
• 2a-W-20 GD-a-Si:HとSP-a-Si:Hのプラズマ解析
• 29p-PS-30 ReBa_2Cu_3O_のマイスナー効果、磁化率
• 29p-PS-29 Y-Ba-Cu_-M_x-O系の超伝導
• 12a-R-11 気相成長法によるFeCr_2S_4単結晶表面の基本構造
• 2a-N-11 (SN)_x のマイスナー効果
• 2a-N-10 (SN)_x の磁化率虚数部
• 2a GC-14 (SN)_x, (SNBr_y)_xの近赤外から紫外スペクトル
• 6a-AE-5 (SN)_x蒸着膜の性質
• 31p-CK-13 (SN)_x 結晶の光学的性質
• 10a-S-2 (SN)_x単結晶の温度変調反射スペクトル
• 10p-Q-8 アンスラセン単結晶の表面励起子スペクトル
• γ線の照射によって発生するアントラセンのトラップについて : 放射線物理
• 2p-N-2 一次元半導体 (CH)_x の光学的性質 II
• 2a-N-9 (SN)_x,(SNBr_a4)_x 単結晶の SOR 分光
• 2p GC-5 一次元半導体 (CH)_xの光学的性質
• 5p-AE-7 アンスラセン結晶のバイブロニック励起子スペクトル
• 電導性ポリマ-単結晶の作成と物性
• おわりに(技術者のために : XXXVIII 結晶成長(21))
• 3a-A3-5 Nb_3Te_4結晶中の格子欠陥の高分解能観察
• 28p-PS-10 正方晶Ba_2YCu_O_(X=0.13, y=0.24)の結晶構造
• E. Kaldis 編: Series, Current Topics in Materials Science, Vols. 1〜9, North-Holland, Amsterdam and New York, 23×15.5cm, Vol. 1: 1978, xii+762ページ, 32,110円, Vol. 2 (Crystal Growth and Materials): 1977, xiv+918ページ, 42,750円 (この編のみ H. J. Scheel と共編), Vol. 3: 19
• 31p-K-11 (SN)_x単結晶の双晶構造
• 30a-B-4 PAA単結晶の転位構造
• 29p-D-12 (SN)_xの結晶組織とマイスナー効果
• アンスラセンの表面光起電力 : イオン結晶・光物性 : 有機半導体
• 6a-L-7 アンスラセンの光伝導に対する磁場の影響
• 31p-L-10 ZnCr_2Se_4のVUVおよびXUV反射分光
• 3a-NGH-20 一次元超伝導体Nb_3S_4のVUV反射スペクトル
• (SN)xの製法と物性 (伝導性低次元物質の化学) -- (1次元ポリマ-)
• 13p-N-11 SrTiO_3の光磁気抵抗効果
• 7p-C-3 SrTiO_3の光ホール効果
• SrTiO_3の光伝導 : 光物性・イオン結晶
• 8p-R-2 BaTiO_3およびSrTiO_3の光伝導
• 5p-AE-5 アンスラセン単結晶の構造欠陥
• 1a-BH-1 アンスラセン (C_14H_10,C_14D_10) 混昌系の光学的性質
• 2a-C-7 単結晶育成用プラズマトーチ炉の特性と性能(第一報)
• 4a-K-12 アントラキノンの光伝導
• テトラセンをドープしたアンスラセンの電子トラップ : 分子結晶・有機半導体
• アンスラセンにおけるナフタセンによるトラップ効果 : 光物性・イオン結晶(有機半導体)
• アンスラセンの電離放射線照射とトラップの発生 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• 有機単結晶の育成(技術者のために : XXXVIII 結晶成長(21))
• 結晶成長の一般理論
• アンスラセンの光起電力と表面状態 : イオン結晶・光物性(有機半導体)
• 3p-K-6 アンスラセン光起電力と表面準位
• 8p-F-1 n-液晶APAPAの相変化と電気伝導
• 3a-K-8 ネマテック液晶の電気伝導と電気光学効果
• 1a-S-2 (SN)_x, PTSの陽電子消滅
• 気相成長による結晶表面の単位格子ステップ構造
• 2a-NE-13 ブリッジマン法によるアンスラセン単結晶の格子欠陥
• 31a-S-4 ポリジアセチレンPTS単結晶の重合機構
• 29p-D-13 (SN)_2より(SN)_x単結晶への成長過程
• 29p-B-12 混晶フレンケル励起子のアンダーソン転移
• 29p-L-7 最近の興味ある超伝導物質 : (SN)_xの超伝導 (最近の興味ある超伝導物質)
• 4p-Z-21 ナフタリン同位体混晶バイブロニック励起子の動力学的性質
• 2p GC-1 試料作成と問題点
• 2p GB-1 アンスラセン同位体混晶の励起子共鳴ラマン散乱
• 3p-DR-1 アンスラセン混晶C_H_-C_D_の発光スペクトル〜クラスター効果〜
• 3p-F-4 結晶の表面構造観察における微分干渉法と位相差法の原理的諸問題
• 3a-F-4 ゲル法によるPbI_2単結晶の育成と成長機構
• G. Goldfinger 編: Clean Surfaces; Their Preparation and Characterization for Interfacial Studies, Marcell Dekker, 1970, 385 ページ, 23.5×16cm, $18.75
• 3a-PS-17 YBaCuO系のCuの3d元素による置換(低温(酸化物超伝導体))
• 3a-PS-16 YBa_2(Cu_Co_x)_3Cyの超伝導と磁性(低温(酸化物超伝導体))
• 31-aD5-6 電極を用いないAg_3SIのイオン伝導度の測定(31 aD5 イオン結晶・光物性(超イオン伝導体),イオン結晶・光物性)
• 31-aD5-10 RbAg_4I_5の超イオン伝導電流の交流一周期測定(31 aD5 イオン結晶・光物性(超イオン伝導体),イオン結晶・光物性)
• 30a-BD-11 電極を用いない超イオン伝導体の伝導度の測定III(30a BD イオン結晶・光物性(超イオン伝導体))
• 31p-CO-6 非晶質Fe-Nd-B系合金の磁場中結晶化など(磁性(永久磁石))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク