3a-C-4 強磁場におけるGaAs共鳴トンネルダイオードの量子輸送現象
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
-
山田 興治
埼玉大学工学部機能材料工学科
-
山田 興治
埼玉大 工
-
鎌田 憲彦
埼玉大工
-
Eaves L.
Nottingham大
-
L Eaves
Nottingham大
-
山田 興治
東大物生研
-
三浦 登
東大物生研
関連論文
- オンライン物理計測のためのマイコンを用いた大容量高速データ処理システム
- 11p-N-13 EuSeのTn近傍の磁気抵抗効果
- モンテカルロ法によるバルクハウゼンノイズシミュレーション
- 異種ポリシラン間のエネルギー移動と時分解発光特性
- ポリシランの発光過程と温度依存性
- ポリシランの分子構造と発光特性
- ポリシランの発光効率と応答特性
- 希土類添加ガラスの発光と共鳴エネルギー移動
- Tb^添加蛍光ガラスの選択励起可視発光特性
- 13a-DE-14 磁気フォノン共鳴によるGaAs/AlGaAs量子井戸のフォトルミネッセンス振動
- 30p-M-10 強磁場下での二重障壁のエミッタ準位と共鳴トンネルII
- 30p-M-8 n-Geの磁気フォノン共鳴3
- 27a-ZG-10 強磁場下での二重障壁のエミッタ準位と共鳴トンネル
- 30p-W-11 強磁場下のGaAs/AlGaAs二重障壁の共鳴トンネル(III)
- 27a-W-6 Fe_M_ySi_x(M=Co, Cr, etc.)スパッタ膜の電気伝導と熱電能
- 28p-D-6 n-Geの磁気フォノン共鳴II
- 28p-D-5 強磁場下のGaAs/AlGaAs二重障壁の共鳴トンネル(II)
- 27p-M-8 強磁場下のGaAs/AlGaAs二重障壁の共鳴トンネル
- 27a-M-9 n-Geのホットエレクトロン磁気フォノン共鳴
- 27a-M-3 強磁界印加により誘起されたn-Siのカオス的導電率振動
- 4a-E-7 強磁場におけるGeの磁気フォノン共鳴
- 4a-E-3 n-Siに於ける導電率のカオス的振動
- 1p-TB-3 強磁場下における共鳴トンネル
- 高抵抗グラニュラー膜の高周波特性
- β-FeSi_2の30Tに至る強磁界中室温巨大磁気抵抗効果
- 5a-R-7 Ge,As,Te系アモルファス半導体の電気的特性
- 強磁場に誘起されたSiのカオス振動
- C-13-4 静電塗布法で形成した有機EL(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 5p-C-5 2重障壁ダイオードの平行強磁場下におけるトンネル効果
- 3a-C-4 強磁場におけるGaAs共鳴トンネルダイオードの量子輸送現象
- AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
- 30a-M-8 衝突電離に伴うカオス的導電率振動の起源と構造
- 静電塗布法における有機薄膜の表面平坦性改善と有機薄膜太陽電池(作製・評価技術・一般,有機材料・一般)
- CS-4-4 シロール誘導体のイオン化ポテンシャル低減と波長選択型有機光電変換素子への応用(CS-4.有機半導体の物性とデバイス応用および今後の展開,シンポジウムセッション)
- C-13-7 静電塗布法を利用した高効率な有機薄膜太陽電池(C-13.有機エレクトロニクス,一般セッション)
- 31a-Y-6 p-InSbのホットホール磁気フォノン共鳴 (II)
- 5p-C-7 p-InSbのホットホール磁気フォノン共鳴
- 1p-PS-34 EuSeのT_N近傍における光学的性質
- 12a-F-19 カルコゲナイドガラス半導体の磁気抵抗効果
- 21pGM-5 弱く結合した1次元磁性体Cu(diazine)X_2, (X=Cl,Br)の磁性(21pGM 量子スピン・フラストレーション系,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 新たな分科会とは?(95周年記念号:明るい未来を目指して)
- CS-5-6 有機イメージセンサ用の波長選択型光電変換素子(CS-5.有機分子の特性を活かした材料評価技術とセンシング技術,シンポジウムセッション)
- Ba_3Si_6O_N_2:Eu^蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価
- シロール誘導体の添加による青色有機光電変換素子の高効率化(センサー,デバイス,一般)
- Ba_3Si_6O_N_2:Eu^蛍光体の2波長励起フォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ)
- シロール誘導体の添加による青色有機光電変換素子の高効率化
- クロマトグラフィで分離した石炭ピッチを用いた有機EL(有機材料,作製・評価技術,一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 静電塗布法を用いたフラーレン誘導体薄膜の成膜(作製・材料,有機デバイス全般・一般)
- 静電塗布法を用いた積層型有機薄膜太陽電池(プロセス技術,展望)
- InGaN量子井戸の2波長励起フォトルミネッセンスによる評価(発光型/非発光型ディスプレイ)
- (Zn_M_x)_3V_2O_8蛍光体の作製とフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 31a-H-11 n-Siの強磁界下ホットエレクトロン磁気フォノン共鳴(31aH 半導体(輸送現象))