β-FeSi_2の30Tに至る強磁界中室温巨大磁気抵抗効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2004-01-15
著者
関連論文
- オンライン物理計測のためのマイコンを用いた大容量高速データ処理システム
- 260 n-Si-βFeSi_2を用いた磁気トランジスタの可能性とその応用
- モンテカルロ法によるバルクハウゼンノイズシミュレーション
- 異種ポリシラン間のエネルギー移動と時分解発光特性
- ポリシランの発光過程と温度依存性
- ポリシランの分子構造と発光特性
- ポリシランの発光効率と応答特性
- 希土類添加ガラスの発光と共鳴エネルギー移動
- Tb^添加蛍光ガラスの選択励起可視発光特性
- 13a-DE-14 磁気フォノン共鳴によるGaAs/AlGaAs量子井戸のフォトルミネッセンス振動
- 30p-M-10 強磁場下での二重障壁のエミッタ準位と共鳴トンネルII
- 30p-M-8 n-Geの磁気フォノン共鳴3
- 27a-ZG-10 強磁場下での二重障壁のエミッタ準位と共鳴トンネル
- 30p-W-11 強磁場下のGaAs/AlGaAs二重障壁の共鳴トンネル(III)
- 27a-W-6 Fe_M_ySi_x(M=Co, Cr, etc.)スパッタ膜の電気伝導と熱電能
- 28p-D-6 n-Geの磁気フォノン共鳴II
- 28p-D-5 強磁場下のGaAs/AlGaAs二重障壁の共鳴トンネル(II)
- 27p-M-8 強磁場下のGaAs/AlGaAs二重障壁の共鳴トンネル
- 27a-M-9 n-Geのホットエレクトロン磁気フォノン共鳴
- 27a-M-3 強磁界印加により誘起されたn-Siのカオス的導電率振動
- 4a-E-7 強磁場におけるGeの磁気フォノン共鳴
- 4a-E-3 n-Siに於ける導電率のカオス的振動
- 1p-TB-3 強磁場下における共鳴トンネル
- 高抵抗グラニュラー膜の高周波特性
- β-FeSi_2の30Tに至る強磁界中室温巨大磁気抵抗効果
- 環境半導体研究の動向
- 「光技術と環境半導体」解説小特集によせて
- 廃棄物再生炭化物による水中リン除去機構に関する研究
- β-FeSi_2/n-Siへテロ接合の作製と光電特性
- 5a-R-7 Ge,As,Te系アモルファス半導体の電気的特性
- 強磁場に誘起されたSiのカオス振動
- ビスマス系置換高温超伝導酸化物
- 3a-C-4 強磁場におけるGaAs共鳴トンネルダイオードの量子輸送現象
- 31a-Y-6 p-InSbのホットホール磁気フォノン共鳴 (II)
- 5p-C-7 p-InSbのホットホール磁気フォノン共鳴
- 1p-PS-34 EuSeのT_N近傍における光学的性質
- 12a-F-19 カルコゲナイドガラス半導体の磁気抵抗効果