260 n-Si-βFeSi_2を用いた磁気トランジスタの可能性とその応用

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概要

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• Fe-Si alloy system was investigated on the magnetoresistance (MR) effects in a temperature range between 77K-RT and in high fields up to 30 T. The samples were prepared by sputtering Fe on Si(100) surface and variously annealed up to β-FeSi_2 are obtained. The MR effects were found small less than several %, negative at RT and positive at T=77 K for Fe-rich samples. For a sample at the stoichiometric β-Fe-Si_2, we found positive MR very large more than 40% at RT in B=30T. The physical mechanism of the large MR is given rise by the carrier freeze-out effect.

• 社団法人日本機械学会の論文
• 2005-08-22

著者

• 山田 興治

  埼玉大学大学院

• 本多 善太郎

  埼玉大学大学院

• 山田 興治

  埼玉大理工

• 山田 興治

  埼玉大

• 山田」 興治

  埼玉大

• LUO Jiaolian

  埼玉大学大学院

• 小川 博久

  埼玉大学大学院

• Xie Quan

  Chansa Tech. Sci. Univ.

• 三宅 潔

  埼玉大学大学院

• 山田 興治

  埼玉大学

• 本多 善太郎

  埼玉大学

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