26a-M-7 菱面体晶系PZTセラミックスの焦電特性とF_R(LT)-F_R(HT)相転移
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1987-09-16
著者
-
塩崎 忠
京大、工
-
塩嵜 忠
芝浦工業大学
-
塩崎 忠
京都大学工学部
-
塩崎 忠
京大工
-
川端 昭
京大工
-
安達 正利
富山県立大
-
安達 正利
京大工学部
-
川端 昭
富山県立大
-
奥村 直人
京大工
-
塩嵜 忠
京大工
関連論文
- (241)横須賀リサーチパーク(YRP)サテライトとの高臨場感遠隔教育支援(セッション69 体系的教育課程の編成・教育における産学連携I)
- 22pTE-12 (Pb,Sr)TiO_3ナノパウダーの構造解析(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 23pZD-12 PZT薄膜の熱刺激電流における電圧依存性(23pZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 強誘電体薄膜の気相成長 (ペロブスカイト関連化合物 機能の宝庫) -- (構造・形態制御)
- 強誘電体薄膜の実用厚さを決めるもの
- 研究と学会活動をふりかえって
- ニュ-マテリアルの挑戦-11-誘電体薄膜材料
- 新素材今日この頃 (電気設備への新素材適用技術)
- 特別講演 強誘電体・圧電材料評価技術の進歩
- rf スパッタ法による LiNbO_3 薄膜の作製とその電気的特性
- La_3Ta_Ga_Al_O_単結晶の音響関連物理定数
- P-18 Li_2B_4O_7の弾性的,圧電的,音響光学的,電気光学的性質(ポスター・セッション)
- MO_Bi_Ta_2O_9(M=Na, K) セラミックスの合成及び強誘電特性
- 1a-LD-7 圧電体粉末の分極エコー (2-パルス・エコーにおよぼす格子の非線形項と粉の回転の効果の比較)
- 10p-N-9 圧電体粉末の分極エコーによる分域サイズ等の測定
- 5a-D-7 圧電セラミクス粉末のフォノン・エコーとその機械的電気的性質との関係
- 8p-K-8 圧電体粉末のフォノン・エコーとその長時間記憶効果
- 真空蒸着法によるPbS_xSe_のエピタキシャル薄膜 : 融液成長と蒸着膜
- 5a-N-4 KNbO_3・LiNbO_3・NaNbO_3系透光性圧電磁器の作製
- 11p-K-4 KLN結晶の一部をNaで置換した場合の誘電的・圧電的性質
- 4p-P-4 K_3Li_2Nb_5O_単結晶の弾性定数、圧電定数の測定
- 2E-7 La_3Ta_Ga_Al_O_単結晶の音響関連物理定数と温度係数の測定(超音波物性,フォノン物理,光超音波エレクトロニクス&非線形,強力超音波,ソノケミストリー)
- D-1 プラズマCVD法によるZnO薄膜の作製(一般講演)
- 27a-Q-7 ZnO薄膜のフォトルミネッセンス特性
- BaTiO_3磁器半導体の電気抵抗(誘電体)
- 6a-H-12 Se-Te合金の超音波減衰
- 27pPSB-10 鉛系ペロブスカイト型強誘電体ナノ粒子の構造・フォノン物性(領域10ポスターセッション(誘電体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- E-6 高音速セラミック基板上のZnO薄膜を用いた高音速・高結合表面波(弾性表面波とデバイスII)
- 非鉛系圧電材料の開発とMEMS応用
- 22pTE-13 (Pb_Sr_)TiO_3ナノ粒子におけるフォノン閉じ込め効果(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 9a-N-5 K_2BiNb_5O_単結晶の光学的性質
- H-4 四ホウ酸リチウムを用いた共振器型SAWフィルタの設計と評価(H.弾性表面波・デバイス)
- 26a-M-7 菱面体晶系PZTセラミックスの焦電特性とF_R(LT)-F_R(HT)相転移
- 次世代材料用新薄膜作製技術の基礎と応用
- Se, Se-Te合金の単結晶成長と結晶の観察 : 結晶成長
- 14p-L-6 単結晶Se-Te合金の作成とそれらの諸特性
- チタン酸バリウム磁器の分極特性 : 誘電体
- BaTiO_3磁器の圧電効果の経時変化 : 誘電体
- 11p-L-6 (Ba・Sr)(Ti・Sn)O_3系固溶体の非直線性
- 強誘電性半導体に影響する諸因子 : XIX. 誘電体
- 18K-12 Plastic Scintillatorに對するγ線照射の影響
- 18K-12 Plastic Scintillatorに對するγ線照射の影響
- 16D-15 Triglycine Sulfateに對するγ線照射の影響
- 強誘電体とその応用(II)
- 強誘電体とその応用(I) : 第1編 電子工業材料
- G-3 圧電振動の局所的光学計測と電気的等価回路の関係(G.圧電振動子・材料)
- E-4 表面弾性波の振幅と位相の光学的計測(E.超音波測定技術)
- PA5 周期的空間電荷分布を有する圧電振動子の電気的特性と制御(ポスタセッションA-概要講演・展示)
- G2 フォトリフラクティヴ内部電界による圧電分極波の空間周期的変調と非線形振動発現モデル(超音波基礎)
- PB39 円板状圧電振動子の音速とポアソン比の光学的計測(ポスターセッションB)
- C3 光ファイバを用いた圧電振動の計測
- C-5 セラミクスのレーザ誘起化学エッチングにともなう音波の検出とその応用(光音響分光法)
- C-11 シリコン基板上のVHF/UHF帯複合共振器(表面波伝搬とデバイスII)
- B-2 AlN薄膜と金属板・高分子シートとの複合圧電スピーカ(超音波の発生・検出I)
- D-3 AlN薄膜の音響的・光学的性質(一般講演)
- 2-12 プレーナマグネトロンスパッタ法による圧電性薄膜の作製(一般講演)
- 高速プレ-ナ・マグネトロン・スパッタ法 (最近のZnO膜作成技術(技術ノ-ト))
- 1981年 IEEE 超音波シンポジウム 報告
- 1P5-11 結晶粒界による薄膜SAW 速度と損失の変化(ポスターセッション)
- 3p-D-1 薄膜圧電材料の現状と応用
- Tlを添加した融液からのSe単結晶の成長 : 融液成長 : 完全性
- 29p-N-3 誘電体薄膜の圧電および光学的応用
- 5a-L-4 音響電気効果による半導体表面状態の研究
- 12a-Z-4 表面波による半導体表面状態の研究
- 24a-G-17 圧電半導体Teの非線形導電現象に対する磁場の効果
- 6p-M-11 Se-Te系圧電半導体における電子の関与した高電界効果
- 3a-M-1 Se単結晶の導電機構とそのメモリー効果
- 12a-H-7 圧電半導体における少数キャリアの関与した超音波増巾
- 6a-H-13 Se-Te系半導体中の少数キャリヤ(電子)の関与した音響電気効果
- 6a-H-11 Sbを添加したTe中での音響電気振動
- 表面+界面≒薄膜
- ZnO薄膜の3次元光導波路への応用
- レ-ザ-によるセラミックスの微細加工 (セラミックスへのレ-ザ-利用)
- 膜状材料の製造技術 (進展する機能性膜状材料の利用)
- 6p-W-5 スパッタ層を介したサファイア基板上へのZnO気相成長
- 連続チャージ法によるK_3Li_2Nb_5O_単結晶の育成
- PC-4 Ta置換型ランガサイト(La_3Ta_Ga_O_)結晶の弾性表面波伝搬特性
- PE10 ランガサイト(La_3Ga_5SiO_:LGS)結晶の表面弾性波伝搬特性(SAWデバイス,ポスターセッション2)
- ランガサイト(La_3Ga_5SiO_)系圧電単結晶の現状と展望
- 多結晶薄膜の応用と将来-2-圧電体薄膜 (真空・薄膜・表面) -- (薄膜)
- インクジェット法によるLTCCへの銅電極の作製
- 3a-D-1 強誘電性半導体に影響する諸因子 III
- 11p-L-4 強誘電性半導体に影響する諸因子 II
- チタン酸バリウム系圧電厚膜の作製と評価
- チューナブル薄膜キャパシター
- 27a-W-10 タングステンブロンズ型K_2BiNb_5O_単結晶の熱膨張
- 2a-BD-4 KnbO_3-LiNbO_3-NaNbO_3 系固溶体結晶の育成と電気的性質
- 4a-J-4 K_2BiNb_5O_の強誘電性(強弾性) III
- 8p-K-7 K_2BiNb_5O_単結晶の強誘電性II
- 5a-N-10 K_2BiNb_5O_単結晶の強誘電性
- 24p-P-9 KTN単結晶の弾性的・圧電的性質
- 4p-L-5 KTaO_3-KNbO_3系固溶体磁器の圧電性
- 機能性薄膜の開発動向 (進展する機能性膜状材料の利用)
- 圧電体薄膜 (膜部品技術小特集)
- ランガサイト(La3Ga5SiO14)結晶の表面弾性波伝搬特性 (特集 21世紀を拓く革新的超音波材料群)
- 解説 電気光学、非線型光学結晶
- プレ-ナマグネトロンスパッタ法およびCVD法によるZnO薄膜の作製と光導波路への応用
- 3Pb1-6 ランガサイト系結晶の音響関連物理定数と温度特性の測定(ポスターセッション)