強誘電体薄膜の実用厚さを決めるもの
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2009-10-10
著者
関連論文
- 23pZD-12 PZT薄膜の熱刺激電流における電圧依存性(23pZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 強誘電体薄膜の気相成長 (ペロブスカイト関連化合物 機能の宝庫) -- (構造・形態制御)
- 強誘電体薄膜の実用厚さを決めるもの
- 研究と学会活動をふりかえって
- ニュ-マテリアルの挑戦-11-誘電体薄膜材料
- 新素材今日この頃 (電気設備への新素材適用技術)
- 特別講演 強誘電体・圧電材料評価技術の進歩
- rf スパッタ法による LiNbO_3 薄膜の作製とその電気的特性
- P-18 Li_2B_4O_7の弾性的,圧電的,音響光学的,電気光学的性質(ポスター・セッション)
- MO_Bi_Ta_2O_9(M=Na, K) セラミックスの合成及び強誘電特性
- 1a-LD-7 圧電体粉末の分極エコー (2-パルス・エコーにおよぼす格子の非線形項と粉の回転の効果の比較)
- 10p-N-9 圧電体粉末の分極エコーによる分域サイズ等の測定
- 5a-D-7 圧電セラミクス粉末のフォノン・エコーとその機械的電気的性質との関係
- 8p-K-8 圧電体粉末のフォノン・エコーとその長時間記憶効果
- 真空蒸着法によるPbS_xSe_のエピタキシャル薄膜 : 融液成長と蒸着膜
- 5a-N-4 KNbO_3・LiNbO_3・NaNbO_3系透光性圧電磁器の作製
- D-1 プラズマCVD法によるZnO薄膜の作製(一般講演)
- 27a-Q-7 ZnO薄膜のフォトルミネッセンス特性
- 6a-H-12 Se-Te合金の超音波減衰
- E-6 高音速セラミック基板上のZnO薄膜を用いた高音速・高結合表面波(弾性表面波とデバイスII)
- 非鉛系圧電材料の開発とMEMS応用
- 26a-M-7 菱面体晶系PZTセラミックスの焦電特性とF_R(LT)-F_R(HT)相転移
- Se, Se-Te合金の単結晶成長と結晶の観察 : 結晶成長
- 14p-L-6 単結晶Se-Te合金の作成とそれらの諸特性
- G-3 圧電振動の局所的光学計測と電気的等価回路の関係(G.圧電振動子・材料)
- E-4 表面弾性波の振幅と位相の光学的計測(E.超音波測定技術)
- PA5 周期的空間電荷分布を有する圧電振動子の電気的特性と制御(ポスタセッションA-概要講演・展示)
- G2 フォトリフラクティヴ内部電界による圧電分極波の空間周期的変調と非線形振動発現モデル(超音波基礎)
- PB39 円板状圧電振動子の音速とポアソン比の光学的計測(ポスターセッションB)
- C3 光ファイバを用いた圧電振動の計測
- C-5 セラミクスのレーザ誘起化学エッチングにともなう音波の検出とその応用(光音響分光法)
- C-11 シリコン基板上のVHF/UHF帯複合共振器(表面波伝搬とデバイスII)
- B-2 AlN薄膜と金属板・高分子シートとの複合圧電スピーカ(超音波の発生・検出I)
- D-3 AlN薄膜の音響的・光学的性質(一般講演)
- 2-12 プレーナマグネトロンスパッタ法による圧電性薄膜の作製(一般講演)
- 高速プレ-ナ・マグネトロン・スパッタ法 (最近のZnO膜作成技術(技術ノ-ト))
- 1981年 IEEE 超音波シンポジウム 報告
- Tlを添加した融液からのSe単結晶の成長 : 融液成長 : 完全性
- 29p-N-3 誘電体薄膜の圧電および光学的応用
- 5a-L-4 音響電気効果による半導体表面状態の研究
- 12a-Z-4 表面波による半導体表面状態の研究
- 24a-G-17 圧電半導体Teの非線形導電現象に対する磁場の効果
- 6p-M-11 Se-Te系圧電半導体における電子の関与した高電界効果
- 3a-M-1 Se単結晶の導電機構とそのメモリー効果
- 12a-H-7 圧電半導体における少数キャリアの関与した超音波増巾
- 6a-H-13 Se-Te系半導体中の少数キャリヤ(電子)の関与した音響電気効果
- 6a-H-11 Sbを添加したTe中での音響電気振動
- 表面+界面≒薄膜
- ZnO薄膜の3次元光導波路への応用
- レ-ザ-によるセラミックスの微細加工 (セラミックスへのレ-ザ-利用)
- 膜状材料の製造技術 (進展する機能性膜状材料の利用)
- 多結晶薄膜の応用と将来-2-圧電体薄膜 (真空・薄膜・表面) -- (薄膜)
- 機能性薄膜の開発動向 (進展する機能性膜状材料の利用)
- 圧電体薄膜 (膜部品技術小特集)
- プレ-ナマグネトロンスパッタ法およびCVD法によるZnO薄膜の作製と光導波路への応用