シリコンウエハの鏡面仕上げ(第3報) : 研磨条件のウエハ研磨面温度差への影響
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概要
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This paper deals with the surface temperature distribution, which dominates wafer flatness in the mirror polishing of Si wafers. Each of polishing pressure, the speed of a polishing plate, polishing load and the surface structure of a polisher, affects on ΔT in the range of 0.2-0.6 K. Either the flow rate of polishing reagent or polisher loading, however, affects more dominantly on the temperature distribution ΔT in the range of O.3-1.3 K. Therefore, it is much more important to control both the flow rate of polishing reagent and the polisher loading than the former factors in order to improve the wafer flatness.
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1992-11-05
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