CIF_3ガス等方性ドライエッチングのマイクロマシニングへの応用研究

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概要

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• Within the micromachining field, which is based on semiconductor manufacturing technology, wet etching and plasma etching are generally used as the isotropic etching for producing movable parts on silicon wafer. However, these methods have the following disadvantages, 1) Wet etching; (1) Dynamic damage such as surface tension occurs. (2) It is difficult to perform in-line etching, 2) Plasma etching; (1) Thermal damage due to plasma, (2) Detoxication at high-temperature is required. To solve them, it is proposed a new isotropic dry etching using CIF_3 gas. The following results are obtained experimentally; (1) Si can be etched isotropically by CIF_3 gas at room temperature and atmospheric pressure, (2) Ni film electroplated and Cr film sputtered are useful as makes for CIF_3 gas dry etching, (3) Ni rotor electroplated on Si could be released by the proposed CIF_3 gas etching.

• 公益社団法人精密工学会の論文
• 2000-06-05

著者

• 植田 哲生

  セントラルエンジニアリング(株)

• 栗林 勝利

  山口大学工学部

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