歪み半導体ヘテロ構造の特性解析
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概要
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Band edge energies of strained III-V semiconductors on GaAs and of strained GaAs on the other III-V semiconductors are calculated on the basis of the model-solid theory. The characteristics of the quantum heterostructures such as tripple quantum wells and tripple quantum barriers are analyzed with use of the calculated band edge energies. More reasonable and realistic results than those analyzed on the basis of the strain-free models are obtained.
- 近畿大学の論文
- 1994-12-01
著者
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