酸化すず導電薄膜の生成と高温における電気的特性
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概要
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High conducting thin films of tin oxide doped with 10% antimony were prepared by rf-sputtering method and their electrical properties at elevated temperature upto 1000℃ were investigated. The resistivity of films were studied in relation to the sputtering gas pressure, oxygen partial pressure, and substrate temperature. The resistivity of as-deposited films decreased by annealing in vacuum, and increased in air. The annealed films had stable resistivity which showed semiconducting characteristics. Some increase of film resistivity at 500-800℃ range was observed in the investigation of its temperature dependence in air.
- 東海大学の論文
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