電子線音波顕微鏡像
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概要
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電子線超音波顕微鏡(EAM)を用いて, 試料にバイポーラトランジスタを中心にMOS (metal-oxide-semiconductor)-LSIなどを用いて半導体素子の非破壊・内部観察を行ってきた。従来から, 走査形電子顕微鏡(SEM)像とEAM像(EAI)とを比較した報告は多い。しかし, それら報告は画面全体でSEM像とは異なる像としたものである。我々はEAM観察を行うに当たって, この問題について当初から重要な課題として取り組んできた。今回, MOS-LSIのTEGを試料に用いて, SEM像とEAM像とが同一画面内で部分的に異なる観察写真を得ることに成功した。観察写真から同一画面内でBEIとEBIC像, およびEAIについて同一位置の10カ所に番号をつけ, 3種類の像の信号強度が同じ位置と, 異なる強度を持つ位置とを明示した。選択した10カ所について信号強度を第1表に示し比較している。実験の結果, (A)一画面内で同一場所でBEI, EBIC像, EAIはそれぞれ異なった情報を持っていること。(B)BEI, EBIC像, EAIの3種類の像観察を併用する事でより多くの非破壊・内部情報が得られることが分かった。
- 長崎大学の論文
- 2001-03-28
著者
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