PrecipitationによるZnSe単結晶の転位観察
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概要
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II-VI族化合物半導体ZnSeは, 禁制帯幅(Eg)=2.67eVで淡黄色の透明な結晶である。そのため, precipitationにより転位線が不透明な材料でdecorateされた場合, 通常の光学顕微鏡で透過光を使い転移線を観察することが出来る。試料ZnSeは,単結晶成長時に多量のCu不純物(CuCl_2 : 0.9∿6×10^<-3>mol%)を粉末ZnSe(6N)と混合して仕込み,Ar雰囲気流でPiper-Polish法で成長させた。単結晶育成の冷却過程で飽和融解量を越えたCuはprecipitateして転位線などの結晶欠陥をdecorateすることになる。この様にして成長させたas-grown単結晶を(110)劈開して厚さ0.2∿0.5mmの薄板にする。これを試料に用い, as-grownの状態で透過光を使い光学顕微鏡で観察した。製作したZnSe単結晶のCu不純物仕込量が2×10^<-3>mol%の試料を中心にdecorateされた像を光学顕微鏡観察した。焦点位置の違いにより, 巨視的に転位線は繋がっているものの, シャープな転位線像が得られる位置は移動している。decorateされたCuは劈開面(110)でなく, すべり面(111)にprecipitateし, <111>方向に転位線をdecorateしていることが分かった。
- 長崎大学の論文
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