大容量非接触メモリカードのための高効率, 高速応答, 低EMI無線給電回路

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-07-26

著者

• 篠田 亮太

  慶應義塾大学理工学部電子工学科

• 冨田 和寿

  慶應義塾大学理工学部電子工学科

• 長谷川 雄哉

  慶應義塾大学理工学部電子工学科

• 石黒 仁揮

  慶應義塾大学

関連論文

• アナログ離散時間信号処理のための高線形かつ広帯域サンプリング回路(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• Double Thresholding方式を用いた1V299μW Flashing UWBトランシーバ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• Double Thresholding方式を用いた1V 299μW Flashing UWBトランシーバ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 非接触メモリカードのための2.5Gb/s/ch 4PAM誘導結合送受信機(非接触メモリインターフェース,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 3次元集積化のための積層チップ間非接触インターフェース(非接触メモリインターフェース,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 低消費電力3次元システム集積に向けた65fJ/b誘導結合トランシーバ(学生・若手研究会)
• 磁界結合パルス伝送方式によるLSIロジックモニター用のフレキシブル高速無線インターフェース(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
• CT-1-5 チップ間非接触インターフェースの最新技術動向(CT-1.エマージングメモリと3次元集積メモリ,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• アナログ離散時間信号処理のための高線形かつ広帯域サンプリング回路(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 結合伝送線路を用いた12Gb/s非接触インタフェース(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• FinFET高周波特性の高精度評価に関する研究(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 0.5V動作6-bitスケーラブル位相補間器(ポスター講演,学生・若手研究会)
• 0.5V動作の高速近接無線通信用送受信機の設計(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• メモリインターフェース用非接触高速データ伝送技術(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 多位相発振器による適応パルス幅制御を用いた低電圧・高速磁界結合通信機(アナログ・無線技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• タイミング最適化非同期クロック生成器を搭載した40nm超低電圧SAR ADC(アナログ・無線技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 多位相発振器による適応パルス幅制御を用いた低電圧・高速磁界結合通信機(アナログ・無線技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• タイミング最適化非同期クロック生成器を搭載した40nm超低電圧SAR ADC(アナログ・無線技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 大容量非接触メモリカードのための高効率、高速応答、低EMI無線給電回路(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 大容量非接触メモリカードのための高効率、高速応答、低EMI無線給電回路(エナジーハーベスティング・電源・ドライバ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• AT-1-4 近傍電磁界結合を用いた非接触高速インターフェース技術(AT-1.近距離・近接無線技術向け回路とシステム,ソサイエティ企画)
• TDC一体型DLLを用いた高速ロック・低消費電力完全デジタルCDR回路(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• Independent-Double-Gate-FinFETの1/fノイズ特性に関する研究(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 最適オンオフ制御を用いた磁界結合パルス通信用間欠動作LNA(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
• 方向性結合器を用いた携帯機器用途向け0.15mm厚非接触コネクタ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 広範囲動作非同期制御回路を用いた0.4-1V動作逐次比較型ADC(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 広範囲動作非同期制御回路を用いた0.4-1V動作逐次比較型ADC(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 方向性結合器を用いた携帯機器用途向け0.15mm厚非接触コネクタ(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• タイミング最適化非同期クロック生成器を搭載した40nm超低電圧SARADC
• 大容量非接触メモリカードのための高効率, 高速応答, 低EMI無線給電回路
• 多位相発振器による適応パルス幅制御を用いた低電圧・高速磁界結合通信機

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク