RFC diode のキャリアプラズマ形成メカニズムと600〜1700Vクラスでの有効性実証
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2012-10-25
著者
関連論文
- パワー半導体デバイスの最新技術動向
- 次世代HV-IGBT開発
- 次世代HV-IGBT開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- 120V BiC-DMOSプロセス開発 : 42Vバッテリーシステム, FPDシステムの高機能化
- BiC-DMOSを多機能化する60V系Nch/Pchフィールドトランジスタ
- 0.5μm BiCMOS & DMOS開発
- 高破壊耐量ワイドセルピッチ1200V NPT-IGBT(CSTBT)
- IGBT縦構造への薄ウエハプロセス技術を用いたLPT(II)コンセプトの有効性
- 第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC
- 第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- 100kHz動作対応L-IGBTの構造開発
- 1200V LPT-CSTBT^開発
- 高抵抗(P--)基板を使用するスマートパワー技術における寄生L-NPNTr動作の抑制
- 多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧 P-Channel MOS
- 高耐圧領域へのワイドセルピッチLPT(II)-CSTBT^(III)技術の有効性
- Relaxed Field of Cathode (RFC) Diode : 高破壊耐量を有する次世代 HV Diode
- RFC diode の高リカバリー耐量化逆回復動作における current filament 現象とその抑制
- High Voltage アプリケーションへのLPT(II)-CSTBT^(III)技術のチャレンジ : 新規エッジターミネーション設計による高ターンオフ耐量化
- RFC diode のキャリアプラズマ形成メカニズムと600-1700Vクラスでの有効性実証
- Relaxed Field of Cathode (RFC) Diode : 高破壊耐量を有する次世代 HV Diode
- 高耐圧領域へのワイドセルピッチLPT(II)-CSTBT^(III)技術の有効性
- RFC diode のキャリアプラズマ形成メカニズムと600〜1700Vクラスでの有効性実証