多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧 P-Channel MOS
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-11-29
著者
関連論文
- パワー半導体デバイスの最新技術動向
- 微細構造適用600V系HVIC (特集「パワーデバイス技術の最前線」)
- 新規高耐圧ダイオードを有するハーフブリッジドライバーIC
- 1,200V級のHVICプロセス (特集2 パワーデバイス)
- 120V BiC-DMOSプロセス開発 : 42Vバッテリーシステム, FPDシステムの高機能化
- BiC-DMOSを多機能化する60V系Nch/Pchフィールドトランジスタ
- 高機能パワーIC--BiC-DMOS (特集「新たな飛躍段階を迎えたパワーデバイス」)
- 0.5μm BiCMOS & DMOS開発
- 第2世代分割RESURF構造を適用したHVIC技術 (特集 パワーデバイス)
- 第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC
- 第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- HVIC技術開発と将来展望 (特集 新世代パワーデバイス)
- 100kHz動作対応L-IGBTの構造開発
- 新しい受動ゲート駆動法によるL-IGBTの高性能化
- 高抵抗(P--)基板を使用するスマートパワー技術における寄生L-NPNTr動作の抑制
- 多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧 P-Channel MOS
- 高耐圧領域へのワイドセルピッチLPT(II)-CSTBT^(III)技術の有効性
- Relaxed Field of Cathode (RFC) Diode : 高破壊耐量を有する次世代 HV Diode
- 高耐圧ICの発展と将来展望(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 受動ゲートによるL-IGBTの高速化
- 高温で広い安全動作領域を有するCSTBT^(III)の開発
- インバータシステム用1.200V HVIC技術 (特集 パワーデバイス)
- High Voltage アプリケーションへのLPT(II)-CSTBT^(III)技術のチャレンジ : 新規エッジターミネーション設計による高ターンオフ耐量化
- 多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧 P-Channel MOS
- RFC diode のキャリアプラズマ形成メカニズムと600-1700Vクラスでの有効性実証
- Relaxed Field of Cathode (RFC) Diode : 高破壊耐量を有する次世代 HV Diode
- 高温で広い安全動作領域を有するCSTBT^(III)の開発
- 高耐圧領域へのワイドセルピッチLPT(II)-CSTBT^(III)技術の有効性
- RFC diode のキャリアプラズマ形成メカニズムと600〜1700Vクラスでの有効性実証