寺島 知秀 | 三菱電機
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概要
関連著者
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寺島 知秀
三菱電機
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寺島 知秀
三菱電機(株)
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清水 和宏
三菱電機
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畑迫 健一
三菱電機
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山本 文寿
三菱電機
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守谷 純一
三菱電機
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山本 文寿
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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畑迫 健一
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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日根 史郎
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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山下 潤一
三菱電機
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吉野 学
三菱電機
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日根 史郎
三菱電機(株)
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深田 祐介
三菱電機
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高橋 徹雄
三菱電機
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原田 辰雄
三菱電機
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藤井 秀紀
三菱電機
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石澤 慎一
三菱電機
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Donlon John
Powerex Inc
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鈴木 健司
三菱電機
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日根 史郎
三菱電機株式会社 LSI研究所
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平田 大介
三菱電機
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寺島 知秀
三菱電機 (株) パワーデバイス開発部
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守谷 純一
三菱電機ULSI技術開発センター
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鈴木 健司
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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魚田 紫織
三菱電機
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日根 史郎
三菱電機
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DONLON John
Powerex, Inc
-
DONLON John
Powerex, Inc USA
著作論文
- 1,200V級のHVICプロセス (特集2 パワーデバイス)
- 120V BiC-DMOSプロセス開発 : 42Vバッテリーシステム, FPDシステムの高機能化
- BiC-DMOSを多機能化する60V系Nch/Pchフィールドトランジスタ
- 高機能パワーIC--BiC-DMOS (特集「新たな飛躍段階を迎えたパワーデバイス」)
- 0.5μm BiCMOS & DMOS開発
- 第2世代分割RESURF構造を適用したHVIC技術 (特集 パワーデバイス)
- 第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC
- 第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- HVIC技術開発と将来展望 (特集 新世代パワーデバイス)
- 100kHz動作対応L-IGBTの構造開発
- 新しい受動ゲート駆動法によるL-IGBTの高性能化
- 高抵抗(P--)基板を使用するスマートパワー技術における寄生L-NPNTr動作の抑制
- 多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧 P-Channel MOS
- 高耐圧ICの発展と将来展望(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 受動ゲートによるL-IGBTの高速化
- 高温で広い安全動作領域を有するCSTBT^(III)の開発
- 多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧 P-Channel MOS
- 高温で広い安全動作領域を有するCSTBT^(III)の開発