高耐圧ICの発展と将来展望(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
80年代以降, パワーデバイスのプロセス/デバイス技術はICプロセス/デバイス技術に急速に近づき, その自然な帰結として, 高耐圧ICという形で両者の融合へのチャレンジとその機能的な可能性の追求がはじまった。本論文では現在に至るまでの高耐圧ICの発展を, 特に単体のパワー素子との関連の深いDC300V以上のものについて解説し, さらに現在開発が盛んになっている化合物系 (ワイドバンドギャップ) パワー素子との組み合わせにおける高耐圧ICの可能性について述べる。
- 2007-02-22
著者
関連論文
- 1,200V級のHVICプロセス (特集2 パワーデバイス)
- 120V BiC-DMOSプロセス開発 : 42Vバッテリーシステム, FPDシステムの高機能化
- BiC-DMOSを多機能化する60V系Nch/Pchフィールドトランジスタ
- 高機能パワーIC--BiC-DMOS (特集「新たな飛躍段階を迎えたパワーデバイス」)
- 0.5μm BiCMOS & DMOS開発
- 第2世代分割RESURF構造を適用したHVIC技術 (特集 パワーデバイス)
- 第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC
- 第2世代分割RESURF構造を適用したゲートドライバーIC(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- HVIC技術開発と将来展望 (特集 新世代パワーデバイス)
- 100kHz動作対応L-IGBTの構造開発
- 新しい受動ゲート駆動法によるL-IGBTの高性能化
- 高抵抗(P--)基板を使用するスマートパワー技術における寄生L-NPNTr動作の抑制
- 多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧 P-Channel MOS
- 高耐圧ICの発展と将来展望(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 受動ゲートによるL-IGBTの高速化
- 高温で広い安全動作領域を有するCSTBT^(III)の開発
- 多重ストライプドレイン構造による1200V級HVIC搭載高性能/高耐圧 P-Channel MOS
- 高温で広い安全動作領域を有するCSTBT^(III)の開発