中村 勝光 | 三菱電機(株)
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
中村 勝光
三菱電機(株)
-
中村 勝光
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
寺島 知秀
三菱電機(株)
-
中村 勝光
三菱電機株式会社パワーデバイス製作所
-
増岡 史仁
三菱電機(株)
-
西井 昭人
三菱電機(株)
-
幡手 一成
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
斉藤 省二
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
久本 好明
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
大宅 大介
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
陳 則
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
貞松 康史
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
渡辺 友勝
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
寺島 知秀
三菱電機株式会社パワーデバイス製作所
-
楠 茂
三菱電機(株) ULSI研究所
-
楠 茂
三菱電機(株)
-
友松 佳史
福菱セミコンエンジニアリング
-
愛甲 光徳
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
中村 秀城
三菱電機(株)
-
高橋 英樹
三菱電機(株)
-
原田 眞名
三菱電機(株)
-
岡部 博明
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
松村 民雄
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
友松 佳史
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
寺島 知秀
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
真松 康史
三菱電機(株)
-
西井 昭人
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
増岡 史仁
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
-
増岡 史仁
三菱電機(株) パワーデバイス製作所
著作論文
- 次世代HV-IGBT開発
- 次世代HV-IGBT開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- 高破壊耐量ワイドセルピッチ1200V NPT-IGBT(CSTBT)
- IGBT縦構造への薄ウエハプロセス技術を用いたLPT(II)コンセプトの有効性
- 1200V LPT-CSTBT^開発
- 高耐圧領域へのワイドセルピッチLPT(II)-CSTBT^(III)技術の有効性
- Relaxed Field of Cathode (RFC) Diode : 高破壊耐量を有する次世代 HV Diode
- High Voltage アプリケーションへのLPT(II)-CSTBT^(III)技術のチャレンジ : 新規エッジターミネーション設計による高ターンオフ耐量化
- RFC diode のキャリアプラズマ形成メカニズムと600-1700Vクラスでの有効性実証
- Relaxed Field of Cathode (RFC) Diode : 高破壊耐量を有する次世代 HV Diode
- 高耐圧領域へのワイドセルピッチLPT(II)-CSTBT^(III)技術の有効性
- RFC diode のキャリアプラズマ形成メカニズムと600〜1700Vクラスでの有効性実証