中村 勝光 | 三菱電機(株)パワーデバイス製作所
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概要
関連著者
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中村 勝光
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
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中村 勝光
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増岡 史仁
三菱電機(株)パワーデバイス製作所
著作論文
- 次世代HV-IGBT開発
- 次世代HV-IGBT開発(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- 高破壊耐量ワイドセルピッチ1200V NPT-IGBT(CSTBT)
- 1,200V NPTトレンチIGBT (特集「新たな飛躍段階を迎えたパワーデバイス」)
- IGBT縦構造への薄ウエハプロセス技術を用いたLPT(II)コンセプトの有効性
- 1200V LPT-CSTBT^開発
- 高耐圧領域へのワイドセルピッチLPT(II)-CSTBT^(III)技術の有効性
- Relaxed Field of Cathode (RFC) Diode : 高破壊耐量を有する次世代 HV Diode
- High Voltage アプリケーションへのLPT(II)-CSTBT^(III)技術のチャレンジ : 新規エッジターミネーション設計による高ターンオフ耐量化
- RFC diode のキャリアプラズマ形成メカニズムと600-1700Vクラスでの有効性実証
- Relaxed Field of Cathode (RFC) Diode : 高破壊耐量を有する次世代 HV Diode
- 高耐圧領域へのワイドセルピッチLPT(II)-CSTBT^(III)技術の有効性