トレンチ型埋め込み酸化膜を備えた SOI Lateral-IGBT/Diode の過渡特性解析
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概要
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- 2009-10-30
著者
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戸倉 規仁
(株)デンソー
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戸倉 規仁
デンソー
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戸倉 規仁
(株)デンソー 幸田製作所 デハイス開発部
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芦田 洋一
(株)デンソー
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高橋 茂樹
(株)デンソー
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白木 聡
(株)デンソー
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白木 聡
デンソー
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戸倉 規仁
(株)デンソー 幸田製作所 デバイス開発部
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