白木 聡 | (株)デンソー

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概要

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• 戸倉 規仁

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• 高橋 茂樹

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• 戸倉 規仁

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• 戸倉 規仁

  (株)デンソー 幸田製作所 デハイス開発部

• 芦田 洋一

  (株)デンソー

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  (株)デンソー 幸田製作所 デバイス開発部

• 杉山 隆英

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• 中川 明夫

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著作論文

• トレンチ型埋め込み酸化膜を備えた SOI Lateral-IGBT/Diode の過渡特性解析
• アノード構造を改良した高速・高破壊耐量SOI横型ダイオードの開発
• 750V 4.5A低オン電圧キャリア蓄積型E^2LIGBT(CS-E^2LIGBT)
• 750V 4.5A低オン電圧キャリア蓄積型E^2LIGBT(CS-E^2LIGBT)
• アノード構造を改良した高速・高破壊耐量SOI横型ダイオードの開発

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