横型SOI高速ダイオードの逆回復動作におけるダイナミックアバランシェ現象の解析とその抑制構造の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-11-29
著者
-
戸倉 規仁
(株)デンソー
-
戸倉 規仁
デンソー
-
戸倉 規仁
(株)デンソー 幸田製作所 デハイス開発部
-
戸倉 規仁
(株)デンソー 幸田製作所 デバイス開発部
-
山本 貴生
(株)デンソー
-
加藤 久登
(株)デンソー
-
中川 明夫
中川コンサルティング事務所
-
加藤 久登
(株) デンソー, 幸田製作所, 半導体プロセス開発部
-
中川 明夫
合同会社中川コンサルティング事務所
-
中川 明夫
中川コンサルタント事務所
関連論文
- トレンチゲートFS-IGBTのターンオン特性に与えるフローティングpベースの影響
- ワイドセルピッチトレンチゲートFS-IGBTのターンオン特性に与えるフローティングpベースの影響(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- ワイドセルピッチ トレンチゲートFS-IGBTのターンオン特性に与えるフローティングpベースの影響
- 四半世紀に亙るIGBT技術開発の軌跡(1984年-2009年)
- フローティングアイランドと厚い酸化膜をトレンチ底部に備えた超低抵抗トレンチゲートMOSFET(FITMOS) : 優れた内蔵ダイオードを有する60V耐圧超低抵抗MOSFET
- トレンチ型埋め込み酸化膜を備えた SOI Lateral-IGBT/Diode の過渡特性解析
- トレンチゲートFS-IGBTのターンオン特性に与えるフローティングpベースの影響
- 四半世紀にわたるIGBT開発の軌跡（1984年〜2009年）
- 自動C-Vプロッタの試作
- 四半世紀にわたるIGBT開発の軌跡(1984年-2009年)
- アノード構造を改良した高速・高破壊耐量SOI横型ダイオードの開発
- 横型SOI高速ダイオードの逆回復動作におけるダイナミックアバランシェ現象の解析とその抑制構造の検討
- 750V 4.5A低オン電圧キャリア蓄積型E^2LIGBT(CS-E^2LIGBT)
- 横型SOI高速ダイオードの逆回復動作におけるダイナミックアバランシェ現象の解析と,その抑制構造の開発 (特集 半導体電力変換研究会)
- 横型SOI高速ダイオードの逆回復動作におけるダイナミックアバランシェ現象の解析と, その抑制構造の開発
- 低注入PエミッタIGBTにおけるテール電流の解析
- 初期のIGBT開発の経緯
- 750V 4.5A低オン電圧キャリア蓄積型E^2LIGBT(CS-E^2LIGBT)
- 横型SOI高速ダイオードの逆回復動作におけるダイナミックアバランシェ現象の解析とその抑制構造の検討
- アノード構造を改良した高速・高破壊耐量SOI横型ダイオードの開発
- 低注入PエミッタIGBTにおけるテール電流の解析