モンテカルロ・シミュレーションによるSiO_2への高濃度P^+イオン注入の構造解析

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

•   I precisely measure the depth profiles of 50-200 keV P+ implanted into Si and SiO2 by secondary ion mass spectrometry (SIMS) and then best-fit the simulated profiles to the observed ones by taking adequate parameters of their stopping powers. Next, the phosphorus depth distributions in SiO2/Si plate and SiO2 powders for high-dose implantation are determined by Rutherford Backscattering spectroscopy (RBS) and SIMS, respectively. The phosphorus profiles derived from RBS and SIMS analysis are compared with those calculated by the extended SRIM to consider sputter-erosion, a swelling effect and composition change during the implantation. The simulated profiles are good agreement with observed profiles for high-dose phosphorus implantation with energy of 50-200 keV. Present simulation revealed the implantation energy dependence of threshold dose without phosphorus existence at the surface.

• 2009-03-20

著者

• 米田 知晃

  福井工業高等専門学校

関連論文

• モンテカルロ・シミュレーションによるSiO_2への高濃度P^+イオン注入の構造解析
• 11-103 ものづくり教育における初期・終期問題とその対策((7)ものつくり教育-I)
• 電磁波シールド効果を持つ低座標歪み抵抗膜方式タッチパネルセンサの素子構造
• 機械・電気・情報分野を融合したPBL教育の実践とその効果
• 1-107 35項目に具体化した学習・教育目標に対する新しい達成度評価方法 : 福井高専における達成度ポイントとポートフォリオを用いた達成度評価((14)教育評価・自己点検・評価システム-II)
• 電子ブロックを用いた体験型学習の取り組み
• 新科目設置を中心とした福井高専専攻科英語教育システム構築

スポンサーリンク