スパッタリングシミュレーションにおける分子動力学法とモンテカルロ法の比較
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概要
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Low-energy sputtering is studied through molecular dynamics (MD) and binary-collision approximation (BCA) simulations. First, MD simulations as a preliminary study are performed for 5 keV Ar impacts on a Cu target. When random numbers gave the direction of the target crystal axis for each impact, the total sputtering yield almost agreed with the experimental yield of a polycrystalline Cu target. Second, we performed MD and BCA simulations for self-sputtering of W with incident energy of 100 eV and incident angles of 0°-85°. We found that the many-body collision results in high-yield sputtering at grazing incidence. The incident angle dependence of sputtering yields fade out for an MD result with a rough surface.
- 2008-04-20
著者
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剣持 貴弘
Doshisha University
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村本 哲也
Okayama University of Science
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剣持 貴弘
同志社大学生命医
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村本 哲也
岡山理科大学総合情報学部
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剣持 貴弘
吉備国際大学政策マネジメント学部環境リスクマネジメント学科
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村本 哲也
岡山理科大学
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剣持 貴弘
同志社大学
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