ゾルゲル法によるTi:Er:LiNbO_3薄膜の作製と物性評価

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概要

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• Ti4+ and Er3+ LiNbO3 films on the z-cut congruent LiNbO3(CLN) wafer substrates were grown by using a sol-gel method. The orientation relationships between films and substrates were determined by x-ray diffraction, Raman spectroscopy, scanning electron microscope(SEM), and the results showed that (006) oriented LiNbO3 epitaxial layers with parallel epitaxial relationships could be grown on a z-cut CLN wafer substrate. Er3+ exhibited an emission at 1.53μm and efficient luminosity in the visible light could be observed from Ti:Er:LiNbO3 films. The strongest luminosity was observed for the films with Ti4+concentration 1.5 mol% and Er3+concentration 0.05 mol% Ti:Er:LiNbO3 films.

• 社団法人 電気学会の論文
• 2006-01-01

著者

• 音羽 亮平

  santec株式会社研究開発部第一開発グループ

• 高橋 誠

  中部大学工学部応用化学科

• 脇田 紘一

  中部大学

• 佐橋 家隆

  (株)山寿セラミックス

• 高橋 誠

  中部大 総工研

• 芳賀 剛

  中部大学

• 梶谷 尚史

  中部大学

• 深見 宮子

  中部大学

• 高橋 誠

  中部大学 工学部

• 佐橋 家隆

  株式会社 山寿セラミックス

• 高橋 誠

  中部大学

• 音羽 亮平

  santec(株)

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